恭喜李育智博士关于溶液法靶材制备低成本、高性能TFT的论文被IEEE Electron Device Letters 接收
24.11.2022
"High-Performance Sputter-Prepared Metal-Oxide Thin-Film Transistors Based on Solution-Processed Targets," IEEE Electron Device Letters，2022. DOI：10.1109/LED.2022.322492
课题组综述论文被Advanced Materials Techonologies接收
21.11.2022
“Laser-based Micro/Nano-Processing Techniques for Microscale LEDs and Full-color Displays”, Advanced Materials Technologies, 2022, 2200949
链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/admt.202200949
半导体所新型显示团队在垂直结构Micro-LED显示芯片转移和集成方面取得进展
27.09.2022
转自半导体所官网： http://www.gdisit.com/info_view.asp?VID=1585
显示行业发展的过程是不断拔高视觉感官体验阈值的过程，Micro LED凭借其自发光、高效率、低功耗、高稳定等特性，逐渐成为未来显示行业的发展趋势。然而，现阶段 Micro LED 仍存在许多技术瓶颈有待突破，其中利用巨量转移方式制作Micro-LED显示屏目前仍主要采用侧向结构Micro-LED芯片，但侧向结构在分辨率和发光面积上有所限制。而垂直结构LED器件相比侧向结构LED在亮度及发光均匀性上更有优势，因此半导体所新型显示团队针对研究开发基于垂直结构M...
半导体所新型显示团队在肖特基势垒金属氧化物薄膜晶体管制备方面取得进展
11.09.2022
随着摩尔定律的发展，芯片的功能越来越强大，集成度也越来越高。然而随着10nm技术节点的接近，普通TFT面临着严重短沟道效应和高成本投入的双重严峻挑战。而肖特基势垒TFT由于具有低饱和电压、高本征增益、良好的环境稳定性、显著减弱的短沟道效应以及能够实现低功耗等特征优势而在近年来受到广泛研究和关注。相比于普通TFT，肖特基势垒TFT由于具有低饱和电压、高本征增益、良好的环境稳定性、显著减弱的短沟道效应以及能够实现低功耗等特征优势而在近年来受到广泛研究和关注。为实现源漏电极与IGZO沟道层间形成肖特基接触，过往许多研究一般是对电极和IGZO沟道层的界面进行氧等离子、反应溅射等处理，增加了制备工...
团队巨量转移成果被新华网科技时报报道
27.06.2022
团队巨量转移成果荣登广东省科学院头条
27.06.2022
链接：http://www.gdas.gd.cn/ttxw/202206/t20220620_706590.html
恭喜团队郭博士关于微器件巨量转移的工作发表在npj Flexible Electronics
15.06.2022
Article info:
Chan Guo, Zhangxu Pan, Changhao Li, Shenghan Zou, Chao Pang, Jiantai Wang, Jinhua Hu, Zheng Gong*, npj Flexible Electronics, 6, 44 (2022).
Link: https://www.nature.com/articles/s41528-022-00180-w.
团队获批Micro-LED国家重点研发计划子课题
25.01.2022
近日，科技部高技术研究发展中心公示了国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项2021年度公开指南拟立项项目清单，由国星光电、广东省科学院半导体研究所、厦门乾照光电股份有限公司、京东方科技集团股份有限公司、华南理工大学等九家单位共同申报的“高亮度高对比度全彩Micro-LED 显示关键技术研究”项目成功获批，其中我所承担该项目子课题之一“Micro-LED 显示芯片巨量转移与键合技术研究”（子课题编号：2021YFB3600203）,标志着我所承担具有影响力的重要项目能力持续提升。
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