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Investigation of Threshold Ion Range for Accurate Single Event Upset Measurements in Both SOI and Bulk Technologies

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Supply voltage dependence of single event upset sensitivity in diverse SRAM devices

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Monte-Carlo prediction of single-event characteristics of 65 nm CMOS SRAM under hundreds of MeV/n heavy-ions in space

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

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