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#Xiaoqiao He
SnTe monolayer: Tuning its electronic properties with doping
新能源与纳米材料理论室 , 河北科技师范学院
Effects of vacancy defects on electronic properties of 2D group-IV Tellurides (XTe, X = Si, Ge, Sn and Pb)
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Theoretical design of SnTe/GeS lateral heterostructures: A first-principles study
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